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探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

InGaAs單光子陣列探測(cè)器組件 950-1650nm
器件類型 ingaas apd；工作波長(zhǎng) 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測(cè)效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2025-05-14
InGaAs平衡探測(cè)器 1510-1590nm 帶寬DC-100M
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-05-14
2mm大光敏面InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 450-2700nm
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測(cè)器，封裝規(guī)格 to-5
更新時(shí)間:2025-05-14
1064nm四象限Si光電探測(cè)器 光敏面直徑16mm 直流響應(yīng)度0.3A/W
光敏面直徑 16mm；直流響應(yīng)度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時(shí)間:2025-05-14
8mm 大光敏面硅Si硅光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
6mm 大光敏面硅Si光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm
6mm光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns,to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
法蘭式Si光電探測(cè)器 光敏面積4mm 響應(yīng)波段400-1100nm
4mm光敏面，法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 響應(yīng)波段400-1100nm
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns
更新時(shí)間:2025-05-14
光纖耦合式Si光電探測(cè)器 光敏面直徑200um 響應(yīng)速度＜2ns
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時(shí)間:2025-05-14
2mm SI光電探測(cè)器 響應(yīng)波段400-1100nm 響應(yīng)速度＜8ns
2mm直徑光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜8ns，to5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
硅Si放大型光電探測(cè)器 320-1100nm DC-200kHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長(zhǎng)320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-05-14
硅Si光電平衡探測(cè)器 400-1100nm 100MHz 響應(yīng)度0.55@850nm
工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100mhz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-05-14
砷化銦InAs光伏探測(cè)器 峰值波長(zhǎng)3.35μm 光靈敏度1.0A/W
峰值波長(zhǎng)λp：3.35μm 截止波長(zhǎng)λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測(cè)率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時(shí)間:2025-05-14
2-5.5μm 紅外兩TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-5.5μm；峰值波長(zhǎng) 2.9μm；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-05-14
Ge鍺光電二管探測(cè)器 800-1800nm 響應(yīng)度0.95A/W
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 800-1800nm；響應(yīng)度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時(shí)間:2025-05-14
銦鎵砷 InGaAs 光電探測(cè)器 帶寬>2GHz 有效面積直徑100um
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時(shí)間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >10GHz 輸出連接SMA
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9ａ／ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ｇｈｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接,fc/upc
更新時(shí)間:2025-05-14
EOT銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz FC/UPC SMF28e
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc、smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >22GHz 輸出連接SMA
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ｇｈｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 不適用
更新時(shí)間:2025-05-14
銦鎵砷InGaAs高速光電探測(cè)器 >15GHz FC/UPC SMF28e
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ｇｈｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ｓｍａ 光纖連接 fc/upc,smf28e
更新時(shí)間:2025-05-14
中紅外量子聯(lián)超快光電探測(cè)器 20GHz 4.65μm
響應(yīng)超過20ghz的超快中紅外光電探測(cè)器 頻率響應(yīng)范圍 (-3 db): 直流到 20 ghz 敏感波長(zhǎng)峰值: 4.65 μm 光敏性: 1 ma/w (典型值) 無需冷卻，無需偏置操作
更新時(shí)間:2025-05-14
四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm 功率-30dBm
工作波長(zhǎng)范圍 1000-1650nm；電壓響應(yīng)度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時(shí)間:2025-05-14
光纖耦合型/插拔式擴(kuò)展型InGaAs探測(cè)器
光纖耦合型/插拔式擴(kuò)展型ingaas探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-14
900-1700nm 銦鎵砷InGaAs平衡探測(cè)器
koheron pd100b是一款增益為39kv/a、帶寬為100mhz、共模抑制比為35db的放大平衡探測(cè)器。pd100b有交流和直流耦合版本，可安裝ingaas光電二極管或不安裝光電二極管，是光學(xué)相干層析成像和激光探測(cè)等應(yīng)用的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-05-14
平衡探測(cè)器 1064 nm/1550nm
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號(hào)的解調(diào)和誤差信號(hào)的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對(duì)相位。通過這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時(shí)間:2025-05-14
便攜式氣體探測(cè)器報(bào)警器
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)saf200型便攜式單一氣體探測(cè)器(以下簡(jiǎn)稱探測(cè)器)，是一種可連續(xù)檢測(cè)可燃?xì)怏w濃度或者有毒氣體濃度的本質(zhì)安全型設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-05-14
氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器
氣體探測(cè)器;氣體報(bào)警器;氣體探頭;氣體變送器
更新時(shí)間:2025-05-14
氣體探測(cè)器報(bào)警器變送器探頭
氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-05-14
氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
北京、沈陽、濟(jì)南、成都、西安、廣州、武漢、青島專區(qū)氣體探測(cè)器報(bào)警器探頭
更新時(shí)間:2025-05-14
探測(cè)器 制冷探測(cè)器 探測(cè)器出租
•制冷非調(diào)制型：自帶前放，無需調(diào)制
更新時(shí)間:2025-05-13
硫化鉛探測(cè)器出租
•常溫調(diào)制型：探測(cè)器室設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)安裝尺寸，可與衡工儀器的相關(guān)產(chǎn)品配套使用，帶前置放大器：等效輸入噪聲：≤1μv輸入阻抗：≥3mω工作頻率：20hz≤f≤100khz輸入信號(hào)：30mv放大倍數(shù)：50
更新時(shí)間:2025-05-13
卓立漢光 | 光子計(jì)數(shù)器：DSR600
測(cè)量光子探測(cè)器的光譜響應(yīng)范圍、pde峰值波長(zhǎng)、pde峰值等關(guān)鍵信息。
更新時(shí)間:2025-05-13
常溫型中遠(yuǎn)紅外探測(cè)器
dpe12 熱釋電探測(cè)器為常溫型中遠(yuǎn)紅外探測(cè)器，內(nèi)置前置放大器，建議配合鎖相放大器使用，推薦使用 sr830 型或 dcs500pa 型；
更新時(shí)間:2025-05-13
光電倍增管探測(cè)器
光電倍增管探測(cè)器 pmth-s1-(x)系列側(cè)窗型光電倍增管 主要特點(diǎn)：側(cè)窗式，具有電、磁、光屏蔽 可與我公司生產(chǎn)的光譜儀系列、樣品室等匹配連接 通過標(biāo)準(zhǔn)bnc插頭輸出信號(hào) 通過專用耐高壓bnc插頭輸入穩(wěn)定高壓
更新時(shí)間:2025-05-13
硅光電探測(cè)器
硅光電探測(cè)器dsi系列 硅光電探測(cè)器（si）———室溫型探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：200-1100nm 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：dsi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器dsi300型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)低暗電流硅光電探測(cè)器 推薦配合i-v放大器（型號(hào)：zamp）使用
更新時(shí)間:2025-05-13
銦鎵砷探測(cè)器
銦鎵砷探測(cè)器dingaas系列 常溫型銦鎵砷探測(cè)器（ingaas）———常溫型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-1.7μm 三種常溫型銦鎵砷探測(cè)器dingaas1600/ dingaas1650/ dingaas1700具有相同的外觀設(shè)計(jì)
更新時(shí)間:2025-05-13
硫化鉛探測(cè)器
硫化鉛探測(cè)器 硫化鉛探測(cè)器（pbs）———常溫型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍：0.8-3.2μmdpbs2900/3200兩種型號(hào)，兩種探測(cè)器室的外觀相同（內(nèi)帶前置放大器）
更新時(shí)間:2025-05-13
砷化銦探測(cè)器
砷化銦探測(cè)器--inas系列 ：砷化銦探測(cè)器（inas）———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm dinas3800和dinas3800-te兩種型號(hào)，其中：◆ dinas3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件；dinas3800-te內(nèi)裝進(jìn)口te制冷型探測(cè)元件。
更新時(shí)間:2025-05-13
銻化銦探測(cè)器
銻化銦探測(cè)器（insb）———液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：1～5.5μm有dinsb5-de(x)和dinsb5-hs兩種類型，其中： dinsb5-de(x)為液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四種光敏面尺寸可選，適合一般測(cè)量，須選配前置放大器 dinsb5-hs為液氮制冷高速響應(yīng)型，集成前置放大器，響應(yīng)時(shí)間小于25ns
更新時(shí)間:2025-05-13
（HgCdTe）碲鎘汞探測(cè)器
碲鎘汞探測(cè)器（hgcdte） ———液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：2~22μm。 有dmct(x)-de和 dmct11-hs兩種類型，其中：dmct(x)-de為液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四種截止波長(zhǎng)可選，適合一般測(cè)量，須選配前置放大器；dmct12-hs為液氮制冷高速響應(yīng)型，集成前置放大器，響應(yīng)時(shí)間小于50ns；探測(cè)器元件均封裝于dec-(x)系列探測(cè)器室內(nèi)，用于與光譜儀狹縫連接。
更新時(shí)間:2025-05-13
汽車駕駛模擬器/駕校器材/駕駛簡(jiǎn)易練習(xí)器出租
運(yùn)輸費(fèi)按物流公司實(shí)際運(yùn)費(fèi)為準(zhǔn) 本汽車駕駛簡(jiǎn)易練習(xí)器供初學(xué)者練習(xí)使用.利用仿真標(biāo)準(zhǔn)艙,可調(diào)式座椅,穩(wěn)壓電源;結(jié)合現(xiàn)代化電光.模擬實(shí)車駕駛操縱機(jī)構(gòu),led實(shí)時(shí)顯示各機(jī)構(gòu)的工作狀態(tài)
更新時(shí)間:2025-05-13
TS-3000TX 有毒氣體探測(cè)器(gastron)
ts-3000tx 系列高防腐型有毒氣體探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12
TS-3100TX有毒氣體探測(cè)器(gastron)
ts-3100tx 系列高防腐型帶現(xiàn)場(chǎng)顯示有毒氣體探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12
TS-5000TX有毒氣體探測(cè)器(gastron)
ts-5000tx吸入式帶現(xiàn)場(chǎng)顯示\非防爆型有毒氣體探測(cè)器(墻掛安裝)(橫式)
更新時(shí)間:2025-05-12
有毒氣體探測(cè)器
ts-5100tx吸入式帶現(xiàn)場(chǎng)顯示\非防爆型有毒氣體探測(cè)器(墻掛安裝)(豎式)
更新時(shí)間:2025-05-12
TS-4000EX可燃?xì)怏w探測(cè)器(gastron)
ts-4000ex 自動(dòng)吸入式可燃?xì)怏w探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12
TS-4000TX 有毒氣體探測(cè)器(gastron)
ts-4000tx 自動(dòng)吸入式有毒氣體探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12
GTD-200TX有毒氣體探測(cè)器(gastron)
gtd-200tx高精度擴(kuò)散式帶現(xiàn)場(chǎng)顯示和rs485輸出的有毒氣體探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12
可燃?xì)怏w探測(cè)器
gtd-200ex高精度擴(kuò)散式帶現(xiàn)場(chǎng)顯示和rs485輸出的可燃?xì)怏w探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12
TS-2000EX可燃?xì)怏w探測(cè)器(gastron)
ts-2000ex 帶現(xiàn)場(chǎng)顯示的可燃?xì)怏w探測(cè)器
更新時(shí)間:2025-05-12

最新產(chǎn)品

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